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PECVD系統是借助射頻使含有薄膜組成原子(zi)的(de)氣體電(dian)離(li)，在局部形(xing)成等(deng)離(li)子(zi)體，而等(deng)離(li)子(zi)體化學活性很強，很容易發生反應，在基片上沉積出(chu)所期望的(de)薄膜。

產(chan)品(pin)應(ying)用(yong)：該(gai)電(dian)爐采用(yong)紅外燈管(guan)加熱，通過滑(hua)動爐體(ti)實(shi)現快(kuai)速(su)降(jiang)溫。應(ying)用(yong)于半(ban)導體(ti)或太陽能電(dian)池(chi)基(ji)片(pian)退(tui)(tui)(tui)火(huo)。也(ye)可用(yong)于快(kuai)速(su)熱退(tui)(tui)(tui)火(huo)、快(kuai)速(su)熱氧化(hua)(hua)、快(kuai)速(su)熱氮化(hua)(hua)、硅(gui)化(hua)(hua)物合金退(tui)(tui)(tui)火(huo)、電(dian)極合金化(hua)(hua)、氧化(hua)(hua)物生長(chang)、離子注(zhu)入后退(tui)(tui)(tui)火(huo)、薄膜沉積等工藝(yi)試驗 。

操(cao)作便捷性(xing)：抽氣(qi)口及氣(qi)路連(lian)接口采用(yong)KF式快速連(lian)接結構。簡化(hua)安裝(zhuang)過(guo)程，只(zhi)需用(yong)卡箍(gu)便可完成連(lian)接，方便操(cao)作 。

真空快速退火爐操(cao)作(zuo)便捷，電熱元件(jian)采用紅外燈管(guan)(guan)，升溫速度快，節省時間，滑(hua)動法(fa)(fa)蘭使(shi)裝卸樣品過程簡化，方(fang)便操(cao)作(zuo)，可快速得到(dao)實驗結(jie)果，取消了反復的法(fa)(fa)蘭安(an)裝過程，減(jian)少了爐管(guan)(guan)因安(an)裝造成的損壞。

CVD管式(shi)爐設備由沉(chen)積(ji)溫度控(kong)(kong)件(jian)、沉(chen)積(ji)反應(ying)室、真空控(kong)(kong)制(zhi)部(bu)件(jian)和氣源控(kong)(kong)制(zhi)備件(jian)等(deng)部(bu)分(fen)組成(cheng)亦(yi)可根據用(yong)戶需要(yao)設計生(sheng)產，CVD系(xi)統除了(le)主要(yao)應(ying)用(yong)在(zai)碳納米材料制(zhi)備行(xing)業外，現在(zai)正在(zai)使用(yong)在(zai)許(xu)多行(xing)業，包括納米電子學(xue)、半導體、光電工程的研發(fa)、涂料等(deng)領域。